[发明专利]用于太阳电池的银掺杂硫化铅/硫化镉共敏化剂制备方法无效
| 申请号： | 201310474413.9 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489653A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 邹小平;高彦艳 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于敏化太阳电池的铋掺杂硫化铅/硫化镉量子点共敏化剂及制备方法，该方法是将Ag杂质原子掺入到PbS半导体量子点中，并用其制备用于敏化太阳电池的Ag掺杂PbS/CdS共敏化剂。Ag掺杂PbS半导体量子点中存在杂质能级，利于在长波长区域光吸收。将Ag掺杂PbS与CdS形成Ag掺杂PbS/CdS量子点共敏化剂，掺杂的太阳电池相对未掺杂太阳电池的光电转换效率有所改善。通过优化电池内部电子空穴的传输路径，使得电子空穴可以更加快速分离。在填充因子与开路电压相对未掺杂电池持平的情况下明显改善短路电流，提高了太阳能电池的短路电流和能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳电池 掺杂 硫化铅 硫化 镉共敏化剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于敏化太阳电池的银掺杂硫化铅／硫化镉量子点共敏化剂，其特征在于所述方法是以杂质银原子与半导体量子点中阳离子的质量摩尔浓度比为1：1‑1：1000对硫化铅量子点进行掺杂；再与硫化镉量子点形成共敏化剂后组装成量子点敏化太阳电池。
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