[发明专利]掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法

摘要

本发明公开了一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法。使用等离子体辅助化学气相沉积的方法，采用SiH4、CO2和H2作为气源进行掺氧氢化非晶硅薄膜沉积以钝化晶硅表面。可使得钝化后硅片表面的复合速率降低到10cm/s以下，甚至低于1cm/s；impliedVoc超过730mV；并且相比于单纯的氢化非晶硅薄膜钝化，掺氧薄膜的钝化效果随工艺参数变化波动较为平缓，有利于大面积及连续生产中降低生产工艺的控制精度，降低成本。

主权项

一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法，其特征在于采用SiH4作为硅源，CO2作为氧源，H2作为载气和催化气体；在等离子体源采用频率为13.56MHz的射频源或者频率为20～100MHz的甚高频源时，采用等离子体辅助化学气相沉积法在晶硅异质结太阳能电池用硅片上沉积掺氧氢化非晶硅薄膜。