[发明专利]一种高纯度碳化硅的制备方法有效
| 申请号： | 201310476417.0 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103553044A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 星野政宏 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人： | 蔡正保;朱新颖 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯度碳化硅的制备方法，属于半导体材料技术领域。为了解决现有方法得到的碳化硅纯度低和环境污染严重的问题，提供一种高纯度碳化硅的制备方法，该方法包括使原料硅石或金属硅或两者的混合物的表面被含碳元素的碳源完全包裹制成原料颗粒，将原料颗粒在高温条件下发生反应制成碳化硅。本发明的方法碳化硅的纯度高，还能够减少能源的消耗和降低污染物的排放，具有对环境友好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，该方法包括使原料硅石或金属硅或两者的混合物的表面被含碳元素的碳源完全包裹制成原料颗粒，将原料颗粒在高温条件下发生反应制成碳化硅。
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