[发明专利]优化配置的多腔室MOCVD反应系统

摘要

一种优化配置的多腔室MOCVD反应系统，包括：一独立与外界通过手套箱等隔离的箱体；多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于该箱体之内，分别用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长，该多个独立的生长室中的每个生长室都设有独立的加热源、独立的气体原材料管路、独立的监控系统；该多个独立的生长室分别采用独特的反应室设计，使之适用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长；并且用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的反应室的装机容量和数量是不同的；一机械臂，该机械臂位于该箱体底面的中部，该多个独立的生长室环绕于该机械臂的周围，使用该机械臂进行样品的传递。

主权项

一种化学气相沉积装置，包括：一独立与外界通过手套箱等隔离的箱体；多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于该箱体之内，分别用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长，该多个独立的生长室中的每个生长室都设有独立的加热源、独立的气体原材料管路、独立的监控系统；该多个独立的生长室分别采用独特的反应室设计，使之适用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长；并且用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的反应室的装机容量和数量是不同的；一机械臂，该机械臂位于该箱体底面的中部，该多个独立的生长室环绕于该机械臂的周围，使用该机械臂进行样品的传递。