[发明专利]用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法无效
申请号: | 201310477602.1 | 申请日: | 2013-10-14 |
公开(公告)号: | CN103526190A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 纪攀峰;马平;王军喜;胡强;冉军学;曾一平;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C30B25/16;H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及其均匀性的装置,包含通过上表面设置的若干凹盘对应放置有若干外延片的托盘、设置在顶盖上方的一组非接触式、发光补偿的激光测试发光波长谱仪,及设置在托盘下方的加热器,该托盘沿径向设置有若干同心圆但半径递增的环状区域,该若干外延片分布排列在该若干环状区域内;该一组非接触光学测试外延片发光波长测试仪沿径向排列在所述托盘上方,每个或相邻若干非接触式光学外延片发光波长测试仪,对应监测所述托盘上同一环状区域内的至少一个或多个外延片的发光波长;该加热器包含同心圆设置的一组环状排列、独立功率输入的多个加热元件,每一个或相邻若干个所述加热元件通过加热托盘,对应加热托盘上排列在同一环状区域上的若干外延片。 | ||
搜索关键词: | 用于 mocvd 系统 控制 外延 发光 波长 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及其均匀性的装置,包含通过上表面设置的若干凹盘对应放置有若干外延片的托盘、设置在顶盖上方的一组非接触式、发光补偿的激光测试发光波长谱仪,以及设置在托盘下方的加热器,其中:所述托盘沿径向设置有若干同心圆但半径递增的环状区域,所述若干外延片分布排列在该若干环状区域内;所述一组非接触光学测试外延片发光波长测试仪沿径向排列在所述托盘上方,每个或相邻若干非接触式光学外延片发光波长测试仪,对应监测所述托盘上同一环状区域内的至少一个或多个外延片的发光波长;所述加热器包含同心圆设置的一组环状排列、独立功率输入的多个加热元件,每一个或相邻若干个所述加热元件通过加热托盘,对应加热托盘上排列在同一环状区域上的若干外延片。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的