[发明专利]一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构及制备方法

摘要

一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构，包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥，纳米柱或纳米锥的长度范围为200-1500nm，直径为20-200nm；其制备方法是，利用湿法刻蚀制备金字塔形貌，采用溶液浸沾法制备种子层，用水热法进行氧化锌纳米柱或纳米锥的生长制得。本发明的优点是：该陷光结构用于Si衬底太阳电池上，在400-1100nm范围内，长有氧化锌纳米柱的新型陷光结构的平均积分反射为5.1%，长有氧化锌纳米锥的新型陷光结构的平均积分反射率仅为2.5%，与传统的金字塔形貌陷光结构的平均积分反射10.9%相比，积分反射明显降低。

主权项

一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构，其特征在于：包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥，ZnO种子层的厚度为10‑20nm，纳米柱或纳米锥的长度范围为200‑1500nm，直径为20‑200nm。