[发明专利]一种基于氧化物的透明RRAM及其制备方法有效
| 申请号： | 201310478675.2 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103500796A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;王逸然;韩德栋;王漪;刘晓彦;康晋锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 透明 rram 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化物的透明RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，其特征在于，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。
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