[发明专利]基于DICE结构锁存器的具有抗辐照能力的模拟比较器

摘要

本发明涉及集成电路领域，为对通用动态锁存型比较器进行抗辐射加固，使比较器在存储阶段具有单离子辐照的能力，为此，本发明采用的技术方案是，基于DICE结构锁存器的具有抗辐照能力的模拟比较器，由12个PMOS晶体管和11个NMOS晶体管组成；其中前8个NMOS和前8个POMS晶体管组成DICE结构锁存单元，P型晶体管PM1、PM2、PM3、PM4的源极分别接电源VDD，P型晶体管PM5、PM6、PM7、PM8的源极分别接P型晶体管PM1、PM2、PM3、PM4的漏极。本发明主要应用于模拟比较器等集成电路的设计制造。

主权项

一种基于DICE结构锁存器的具有抗辐照能力的模拟比较器，其特征是，由12个PMOS晶体管和11个NMOS晶体管组成；其中前8个NMOS和前8个POMS晶体管组成DICE结构锁存单元，P型晶体管PM1、PM2、PM3、PM4的源极分别接电源VDD，P型晶体管PM5、PM6、PM7、PM8的源极分别接P型晶体管PM1、PM2、PM3、PM4的漏极；N型晶体管NM1、NM2、NM3、NM4的源极分别接P型晶体管PM5、PM6、PM7、PM8的漏极，N型晶体管NM5、NM6、NM7、NM8的源极分别接N型晶体管NM1、NM2、NM3、NM4晶体管的漏极，其中P型晶体管PM5、PM6、PM7、PM8的漏极分别命名为节点1、节点2、节点3、节点4；N型晶体管NM5的漏极和N型晶体管NM7的漏极接在一起形成节点5；N型晶体管NM6的漏极和N型晶体管NM8的漏极接在一起形成节点6，P型晶体管PM1和N型晶体管NM5的栅极接在节点4；P型晶体管PM5的栅极和N型晶体管NM1的栅极接在节点2，P型晶体管PM2的栅极和N型晶体管NM6的栅极接在节点1；P型晶体管PM6的栅极和N型晶体管NM2的栅极接在节点3，P型晶体管PM3的栅极和N型晶体管NM7的栅极接在节点2；P型晶体管PM7的栅极和N型晶体管NM3的栅极接在节点4，P型晶体管PM4的栅极和N型晶体管NM8的栅极接在节点3；P型晶体管PM8的栅极和N型晶体管NM4的栅极接在节点1；P型晶体管PM9、PM10、PM11、PM12的源极接电源VDD；P型晶体管PM9、PM10、PM11、PM12的栅极接控制信号Vb；P型晶体管PM9、PM10、PM11、PM12的漏极分别接节点1、节点2、节点3、节点4；N型晶体管N9的漏极、N型晶体管N10的漏极和N型晶体管N11的源极接在一起；N型晶体管N9的源极接节点5；N型晶体管N10的源极接接电6；N型晶体管N11的源极接地；N型晶体管N9的栅极接模拟输入信号1；N型晶体管N10的栅极接模拟输入信号2；N型晶体管N11的栅极接控制信号Vb；节点4是比较器的输出端。