[发明专利]小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器无效
| 申请号： | 201310478730.8 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103607194A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 杨玉红;胡燕翔;徐江涛 | 申请（专利权）人： | 天津市晶奇微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300461 天津市南开区天津空*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及抗单离子辐照集成电路，为设计出更小尺寸和更低功耗的具有抗单离子辐照能力的锁存器，为达到上述目的，本发明采用的技术方案是，小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器，由2个开关、三个反相器构成，第一个开关经第一个反相器连接到第二个反相器，第一个开关经第二个开关、第三个反相器连接到第二个反相器，第一个反相器中PMOS型晶体管的栅极命名为E节点，第一个反相器中NMOS型晶体管的栅极命名为F节点，第三个反相器中PMOS型晶体管的栅极命名为G节点，第三个反相器中NMOS型晶体管的栅极命名为H节点。本发明主要应用于抗单离子辐照集成电路的设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 功耗 离子 辐照 锁存器 | ||
【主权项】：
一种小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器，由2个开关、三个反相器构成，第一个开关经第一个反相器连接到第二个反相器，第一个开关经第二个开关、第三个反相器连接到第二个反相器，第一个反相器中PMOS型晶体管的栅极命名为E节点，第一个反相器中NMOS型晶体管的栅极命名为F节点，第三个反相器中PMOS型晶体管的栅极命名为G节点，第三个反相器中NMOS型晶体管的栅极命名为H节点，其特征是，在节点X和节点E之间增加一个PMOS型晶体管，所述一个PMOS型晶体管的源极接在节点X，所述一个PMOS型晶体管的漏极接节点E，所述一个PMOS型晶体管的栅极接地。在节点X和节点F之间增加一个NMOS型晶体管，所述一个NMOS型晶体管的源极接在节点X，所述一个NMOS型晶体管的漏极接在节点F，所述一个NMOS型晶体管的栅极接地；在节点Y和节点G之间增加另一个PMOS型晶体管，所述另一个PMOS型晶体管的源极接在节点Y，所述另一个PMOS型晶体管的漏极接G节点，所述另一个PMOS型晶体管的栅极接地；在节点Y和节点H之间增加另一个NMOS型晶体管，所述另一个NMOS型晶体管的源极接在节点Y，所述另一个NMOS型晶体管的漏极接H节点，所述另一个NMOS型晶体管的栅极接地。
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