[发明专利]制备T相BiFeO3薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310481726.7 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103540904A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赵亚娟;尹志岗;张兴旺;付振;吴金良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/40 | 分类号： | C23C14/40;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备T相BiFeO3薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO3材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的沉积腔的适当位置，对沉积腔抽本底真空；步骤C，向沉积腔内通入氧气和氩气，加热蓝宝石衬底至500～750℃；步骤D，调节溅射功率介于50～300W之间，以Ar+及O2+的混合离子束作为离子源轰击溅射靶，在蓝宝石衬底上沉积薄膜；以及步骤E，在溅射完成之后，将蓝宝石衬底的温度降到室温后从沉积腔内取出，在其上得到T相BiFeO3薄膜。本发明步骤简单，易于实现大面积生长制备，有利于促进T相BiFeO3在未来的大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 bifeo sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备T相BiFeO3薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤A，制备BiFeO3材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的沉积腔的适当位置，对沉积腔抽本底真空；步骤C，向所述沉积腔内通入氧气和氩气，加热蓝宝石衬底至500～750℃；步骤D，调节溅射功率介于50～300W之间，以Ar+及O2+的混合离子束作为离子源轰击溅射靶，在蓝宝石衬底上沉积薄膜；以及步骤E，在溅射完成之后，将蓝宝石衬底的温度降到室温后从沉积腔内取出，在其上得到T相BiFeO3薄膜。
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