[发明专利]生长基板分离方法、发光二极管制造方法以及发光二极管有效
| 申请号： | 201310481911.6 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730544B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 许政勋;崔周源;李忠敏;金永郁;辛秀珍;红竖延 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 金玉兰,金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种生长基板分离方法、发光二极管制造方法以及发光二极管。根据一个实施例的生长基板分离方法包括如下步骤准备生长基板；在所述生长基板上形成牺牲层和掩模图案，并通过电化学蚀刻（ECE）对牺牲层进行蚀刻；形成覆盖掩模图案且被元件分离区域划分的多个氮化物半导体层叠结构；在多个半导体层叠结构上贴附支撑基板，并使支撑基板具有连接于元件分离区域的多个贯通孔；将生长基板从氮化物半导体层叠结构中分离。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 分离 方法 发光二极管 制造 以及 | ||
【主权项】：
一种生长基板分离方法，包括如下步骤：准备生长基板；在所述生长基板上形成牺牲层和掩模图案，并使所述牺牲层在所述掩模图案的开口部露出；通过电化学蚀刻而对所述牺牲层进行蚀刻；覆盖所述掩模图案，并形成通过元件分离区域而相互分离的多个氮化物半导体层叠结构；在所述多个氮化物半导体层叠结构上贴附支撑基板，所述支撑基板具有连接于所述元件分离区域的多个贯通孔；将所述生长基板从所述氮化物半导体层叠结构分离。
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