[发明专利]一种具有中红外发光性能的晶体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310484965.8 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103541015A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王静雅;蒋先涛;苏良碧;徐军;唐慧丽;钱小波;汪传勇;姜大朋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/04;C30B11/04 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有中红外发光性能的晶体材料及其制备方法，该发光晶体材料是在Bi4Ge3O12晶体中掺杂了2～4μm波段内不具有发光性能的金属离子的晶体材料。其制备方法包括如下步骤：a)按Bi4Ge3O12的化学计量比称取Bi2O3粉体和GeO2粉体后，加入掺杂氧化物的粉体，混合均匀；b)将步骤a)中得到的混合粉体制成坯体，在500～800℃下烧结5～20小时后进行研磨，得到有掺杂的Bi4Ge3O12粉体；c)将步骤b)中得到的Bi4Ge3O12粉体制备成中红外发光晶体材料。本发明制备的晶体材料，吸收边位于300nm，在300～1600nm范围没有明显的吸收峰，荧光范围为1800～3020nm，覆盖波段超过1000nm，可应广泛用于通讯、医疗和军事等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 红外 发光 性能 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有中红外发光性能的晶体材料，其特征在于：是在Bi4Ge3O12晶体中掺杂了2～4μm波段内不具有发光性能的金属离子。
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