[发明专利]一种缺口线端的OPC修正方法有效
申请号: | 201310485216.7 | 申请日: | 2013-10-16 |
公开(公告)号: | CN104570584B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种缺口线端的OPC修正方法,包括:步骤(a)提供具有缺口线端的线条图案,根据基于模型的OPC修正将所述线条图案分为多段,并在所述缺口线端上生成多个关键尺寸目标值位置;步骤(b)将所述多个关键尺寸目标值位置减少为一个目标值位置,并重新设置所述目标值位置的坐标,以得到最佳目标值位置,缩短修正时间。在本发明针对特定线端例如具有缺口的线端时,在将所述线端分成多段后,在所述线端上形成多个目标值位置,然后将所述线端上的多个目标值位置减小为一个,并通过夫琅禾费(fraunhofer)的单孔衍射推理计算一个目标值位置的坐标,得到最佳目标值位置的坐标,以达到缩短运算时间的目的,更高效的进行修正。 | ||
搜索关键词: | 线端 线条图案 多段 修正 重新设置 单孔 减小 推理 衍射 运算 | ||
【主权项】:
1.一种缺口线端的OPC修正方法,包括:步骤(a)提供具有缺口线端的线条图案,根据基于模型的OPC修正将所述线条图案分为多段,并在所述缺口线端上生成多个关键尺寸目标值位置;步骤(b)将所述多个关键尺寸目标值位置减少为一个目标值位置,并重新设置所述目标值位置的坐标,以得到最佳目标值位置,缩短修正时间;其中,所述步骤(b)中,根据夫琅禾费的单孔衍射推理,在任一点的光的强度跟所述缺口的尺寸面积成正比,将所述多个关键尺寸目标值位置减少为一个目标值,并优化目标值放置位置得到所述最佳目标值位置,根据夫琅禾费的单孔衍射推理得到公式(I),根据公式(I)计算所述最佳目标值位置的坐标Px、Py:
其中,A、B分别为所述线条沿x轴方向和沿y轴方向的宽度,a、b分别为所述缺口沿x轴方向和y轴方向的宽度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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