[发明专利]一种合成聚氯乙烯用低汞触媒及其制备方法有效
| 申请号： | 201310485407.3 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103551155A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王良栋 | 申请（专利权）人： | 贵州大龙银星汞业有限责任公司 |
| 主分类号： | B01J23/83 | 分类号： | B01J23/83;C07C21/06;C07C17/08;C08F14/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 550000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种合成聚氯乙烯用低汞触媒及其制备方法。按重量计，合成聚氯乙烯用低汞触媒包括以下成份：HgCl2：4.0～6.5％；BaCl2：1.0～4.5％；氯化稀土：1.0～5.0％；CdCl2：1.0～2％；NiCl2：1.0～2％；C：80～92％。本发明根据聚氯乙烯生产过程涉及的氯化汞升华流失及汞触媒中毒因素，采用添加氯化钡、氯化稀土、氯化镉、氯化镍替代氯化汞制备低汞触媒，将氯化汞含量由传统的10～12%降低到4～6.5%，得到的低汞触媒，其汞含量达到国家低汞触媒的要求，而且催化使用效果等同于传统高汞触媒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 聚氯乙烯 用低汞 触媒 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种合成聚氯乙烯用低汞触媒，其特征在于，按重量计，包括以下成份：HgCl2：4.0～6.5％；BaCl2：1.0～4.5％；氯化稀土：1.0～5.0％；CdCl2：1.0～2％；NiCl2：1.0～2％；C：80～92％。
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