[发明专利]深沟槽中感应材料的成膜方法有效
| 申请号： | 201310485983.8 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104555894A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽中感应材料的成膜方法，包括步骤：1）在硅衬底上生长硬掩膜；2）在硬掩膜上涂布光刻胶，形成深沟槽光刻窗口；3）光刻刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀掉硬掩膜；5）淀积感应材料；6）旋涂光刻胶填充型材料2次，并在第2次旋涂完成后，静止10～20秒钟，再烘烤；7）涂布光刻胶，曝光并显影；8）刻蚀形成最终图案。本发明通过优化涂胶菜单，在涂胶的最后一步增加10～20s的静止时间，让光刻胶从深沟槽上方附近流入到深沟槽中，利用光刻胶的随型性特征，保护沟槽的侧壁和圆角部分，并保持和沟槽相近的图形，从而减少了一次涂胶步骤，在不影响器件性能的前提下降低了成本和后续刻蚀的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 感应 材料 方法 | ||
【主权项】：
深沟槽中感应材料的成膜方法，包括步骤：1）在硅衬底上生长硬掩膜；2）在硬掩膜上涂布光刻胶，并形成深沟槽光刻窗口；3）以光刻胶为掩膜，光刻刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀，去除硬掩膜；5）淀积一层感应材料；6）旋涂光刻胶填充型材料2次；7）涂布一层光刻胶，曝光并显影；8）刻蚀形成最终所需的图案；其特征在于，步骤6），第2次旋涂光刻胶填充型材料完成后，静止10～20秒钟，再进行烘烤。
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