[发明专利]硅基砷化镓外延材料及器件制造设备和制造方法

摘要

本发明公开了一种硅基砷化镓外延材料及器件制造设备，它包括UHVCVD反应腔室；所述UHVCVD反应腔室与真空过渡腔室连通，真空过渡腔室与晶片缓存腔室连通，晶片缓存腔室与中央传送腔室连通；所述中央传送腔室还与热处理腔室、MOCVD反应腔腔室及层流罩连通；彼此连通的腔室之间设有闸阀，层流罩与中央传送腔室之间也设有闸阀；所述中央传送腔室和真空过渡腔室中设有真空机械手。本发明有效的解决了硅基砷化镓外延材料及器件制造中工艺设备生产效率低、占地面积大、衬底转移存在过程污染、洁净厂房净化等级要求高的缺点。

主权项

一种硅基砷化镓外延材料及器件制造设备，其特征在于，它包括UHVCVD反应腔室（1）；所述UHVCVD反应腔室（1）与真空过渡腔室（2）连通，真空过渡腔室（2）与晶片缓存腔室（3）连通，晶片缓存腔室（3）与中央传送腔室（4）连通；所述中央传送腔室（4）还与热处理腔室（5）、MOCVD反应腔室（6）及层流罩（7）连通；彼此连通的腔室之间设有闸阀（8），层流罩（7）与中央传送腔室（4）之间也设有闸阀（8）；所述中央传送腔室（4）和真空过渡腔室（2）中设有真空机械手（9）；所述UHVCVD反应腔室（1）设有机械泵、分子泵和离子泵，UHVCVD反应腔室（1）本底真空度优于5×10‑9Torr，最高加热温度为800～1000℃；所述真空过渡腔室（2）设有机械泵和分子泵，真空过渡腔室（2）最高真空度为10‑7Torr～10‑8Torr；所述晶片缓存腔室（3）、中央传送腔室（4）、热处理腔室（5）和MOCVD反应腔室（6）设有机械泵；所述热处理腔室（5）最高烘烤温度为1400℃；所述MOCVD反应腔室（6）最高加热温度为800～900℃。