[发明专利]直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法无效
| 申请号： | 201310487182.5 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103526298A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 徐进;吉川;张光超;谢婷婷 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃、1050～1150℃下热处理5～10min，以在直拉单晶硅片中引入铜杂质；将经热处理的直拉单晶硅片分别在氮气氛保护下1050～1150℃保温2～4h和在氩气氛保护下1200～1250℃保温30～60s，观察直拉单晶硅中洁净区的形成情况。根据直拉单晶硅片中引入铜杂质的温度不同，采取不同的热处理工艺，从而有效地避免洁净区中出现铜沉淀。对洁净区的保护效果好，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 避免 沉淀 形成 洁净 热处理 方法 | ||
【主权项】：
直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，其特征在于包括以下步骤：1）将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；2）将经过步骤1）三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛保护下，分别在700～750℃、850～950℃、1050～1150℃下热处理5～10min，以在直拉单晶硅片中引入铜杂质；3）将经过步骤2）热处理的直拉单晶硅片分别在氮气氛保护下1050～1150℃保温2～4h和在氩气氛保护下1200～1250℃保温30～60s，观察直拉单晶硅中洁净区的形成情况。
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