[发明专利]一种横向PNP功率晶体管

摘要

一种横向PNP功率晶体管。适用于集成电路的大电流横向晶体管，并且是以一系列平行晶体管的形式焊接而成的。每个晶体管的发射极周围紧密环绕着与之相对的集电极，它们当中的半导体作为基极区域。平行连接的晶体管组位于中心线的两侧，并沿着中心线分布，中心线包括若干散布的穿接电阻元件。每一个晶体管组的两侧有一基极结点，该基极结点垂直于中心线延伸出去，并且由金属镀层连接至一个电阻元件上。电阻元件通过镇流装置对晶体管基极电流进行分流，由此产生合适的电流分配。因为电阻是氧化物，所以发射极和集电极金属镀层可以通过中心线区域，平行连接单个晶体管。

主权项

一种横向PNP功率晶体管，其特征是：一种适用于半导体衬底结构的横向功率晶体管，具有一个表面为平面的氧化物，上述晶体管包括：一系列平行连接的单独晶体管元件，按照位于具有一种导电类型的半导体表面的元件分组排列，每个元件具有一个半导体导电类型相反的发射极，以及与之有一定距离间隔的，具有上述相反导电类型的集电极，其中，上述发射极和集电极之间的空间构成了基极区域；位于中心区域的相对两侧的上述元件组，并且其沿着中心区域分布；与上述每个元件组邻近的端子，用于形成上述晶体管基极区域的分散连接；位于上述中心区域的穿接阻抗，用于形成连接至上述分散式连接端子的阻抗连接，上述晶体管元件中的基极电流是稳定平衡的；位于上述半导体氧化物顶部的金属镀层，用于相互连接上述晶体管元件，使其成为一个统一的元件，其中，上述金属镀层可以越过中心区域直接起作用，因此就能允许上述元件组平行连接而不会妨碍到上述共基连接。