[发明专利]降低高压大容量钽电解电容器漏电流的方法有效
申请号: | 201310487362.3 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103500658A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 梁正书;杨立明;田东斌;刘健 | 申请(专利权)人: | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 |
主分类号: | H01G9/00 | 分类号: | H01G9/00;H01G9/15 |
代理公司: | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人: | 杨云 |
地址: | 550018*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种降低高压大容量钽电解电容器漏电流的方法,属于钽电解电容器的制造方法;它是先清洗钽坯块,然后采用二次电化学处理法在钽坯块表面制备介质氧化膜,其方法是:先用硝酸溶液浸泡钽坯块,然后用去离子水煮洗该钽坯块,再用双氧水溶液浸泡该钽坯块,最后用去离子水将该钽坯块煮洗干净;将洗净的钽坯块浸入形成液中,先按15~50mA/g的电流密度将第一次形成电压升至第二次形成电压的0.6~0.75倍,然后再按以下情况将第二次形成电压升至电容器额定电压的3~5倍,恒压2小时:若第二次形成电压≤200V,电流密度为20~50mA/g;若第二次形成电压>200V,电流密度为6~15mA/g。 | ||
搜索关键词: | 降低 高压 容量 电解电容器 漏电 方法 | ||
【主权项】:
一种降低高压大容量钽电解电容器漏电流的方法,包括在钽坯块表面制备Ta2O5介质氧化膜;其特征在于在制备Ta2O5介质氧化膜之前先对钽坯块进行清洗,然后采用二次电化学处理法在所述钽坯块表面制备Ta2O5介质氧化膜,具体步骤如下:1)将钽坯块浸入质量百分比浓度为40~60%的硝酸溶液中清洗24~48小时;2)用温度为80℃以上的去离子水对经硝酸清洗过的钽坯块煮洗至少三次,每次至少20分钟;3)将经过煮洗的钽坯块浸入质量百分比浓度为20~40%的双氧水溶液中清洗24~48小时;4)用去离子水对经过双氧水清洗的钽阳块冲洗5~15分钟,然后再用80℃以上的离子水对其煮洗至少三次,每次至少20分钟;5)将步骤4)中的钽坯块浸入形成液中,先按15~50mA/g的电流密度将第一次形成电压升至第二次形成电压的0.6~0.75倍,然后再按以下情况将第二次形成电压升至电容器额定电压的3~5倍,并恒压2小时:若第二次形成电压≤200V,升压电流密度为20~50mA/g;若第二次形成电压>200V,升压电流密度为6~15mA/g。
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