[发明专利]一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法

摘要

一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法，其步骤是：a、高纯铋粉（Bi）和高纯硒粉(Se)按2:3.2的摩尔比，在氩气手套箱中称量，研磨，压片；再封入真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的烧结，然后淬火，即得到Bi2Se3单晶块材；b、将a步的Bi2Se3单晶块材重新放入氩气手套箱中研磨成粉末；c、将b步制得的粉末放入蒸发镀膜机中，将粉末均匀蒸发到基片上，形成薄膜后取出；d、将c步所得薄膜再次封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理，然后淬火，即在基片上得到Bi2Se3薄膜。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，具有典型的层状结构。

主权项

一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法，其步骤是： a、单晶块材的制备：高纯铋粉（Bi）和高纯硒粉(Se)按2:3.2的摩尔比，在氩气手套箱中称量，研磨，压片；再封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的烧结，然后淬火，即得到Bi2Se3单晶块材； b、前驱粉末制备：将a步的Bi2Se3单晶块材重新放入氩气手套箱中研磨成粉末； c、薄膜的蒸镀：将b步制得的粉末放入蒸发镀膜机中，将粉末均匀蒸发到基片上，形成薄膜后取出； d、后退火处理：将c步所得薄膜再次封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理，然后淬火，即在基片上得到Bi2Se3薄膜。