[发明专利]在电阻式随机存取存储器单元中形成接触以降低单元编程所需电压的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310488552.7 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN103730571B 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: P·苏塔尔德加;吴亚伯;W·李;P·李;常润滋 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要: 电阻式随机存取存储器的单元包括电阻式元件和存取器件。电阻式元件包括(i)第一电极和(ii)第二电极。存取器件被配置为选择和取消选择单元。存取器件包括(i)连接至第一接触的第一端子和(ii)连接至第二接触的第二端子。第二接触经由第三接触连接至电阻式元件的第二电极。第三接触包括(i)与第二接触相接触的第一表面和(ii)与第二电极相接触的第二表面。第一表面限定第一表面面积,并且第二表面限定第二表面面积。第一表面面积大于第二表面面积。
搜索关键词: 电阻 随机存取存储器 单元 形成 接触 降低 编程 电压 方法 装置
【主权项】:
1.一种电阻式随机存取存储器的单元,所述单元包括:电阻式元件,其中所述电阻式元件包括(i)第一电极和(ii)第二电极;以及存取器件,被配置为选择和取消选择所述单元,其中所述存取器件包括(i)连接至第一接触的第一端子和(ii)连接至第二接触的第二端子,并且其中所述第二接触经由第三接触连接至所述电阻式元件的所述第二电极,其中所述第三接触包括(i)与所述第二接触相接触的第一表面和(ii)与所述第二电极相接触的第二表面,其中(i)所述第一表面限定第一表面面积,并且(ii)所述第二表面限定第二表面面积,并且其中所述第一表面面积大于所述第二表面面积。
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