[发明专利]碲锌镉像素探测器模块的封装方法有效
申请号: | 201310488594.0 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103560166A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 徐亚东;何亦辉;齐阳;谷亚旭;王涛;查钢强;介万奇 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学;陕西迪泰克新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0203;H01L31/09 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器模块的封装方法,用于解决现有碲锌镉像素探测器模块封装方法连接胶点相对位置精度差的技术问题。技术方案是采用银导电胶作为倒装连接介质,利用三维自动点胶机通过矩阵点胶模式,精确控制胶点的尺寸与相对位置,同时利用倒装焊接仪,通过双CCD取景对焦的工作模式,控制传动系统的精确走位,解决了碲锌镉像素电极探测器元件上像素电极与基板上金属电极的一一对应连接问题,并克服了像素电极的短路或断路现象。由于采用程序控制的矩阵点胶模式,有效地控制了胶点间的相对位置,精度达到了10μm,同时采用流量控制器,获得了的最小胶点尺寸为150μm,有效克服了像素电极的短路问题。 | ||
搜索关键词: | 碲锌镉 像素 探测器 模块 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种碲锌镉像素探测器模块的封装方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一、采用碲锌镉单晶片制备碲锌镉像素探测器元件(1);设计与像素电极尺寸相对应的倒装连接用基板(4);然后将基板(4)固定于三维自动点胶机的基座(5)上,通过电荷耦合元件CCD(3)观察基板(4)的位置信息并传输给电脑,设定点胶初始位置在基板(4)任一顶点,设定X轴及Y轴步进频次,并将步进参数输入电脑,电脑通过控制三维平移台(2)的运动完成矩阵点胶,在基板(4)的金属电极(6)上均匀涂覆银导电胶(7),并通过流量控制器(8)控制单次的点胶量;步骤二、将点好胶的基板(4)放置于倒装焊接仪的基准台(9)上,通过顶部CCD(10)记录基板(4)上的图像信息并传输给电脑;使用倒装焊接仪的真空吸头(11)将碲锌镉像素探测器元件(1)抓起,并保持像素电极面向下,通过底部CCD(13)记录碲锌镉像素探测器元件(1)中像素电极面上的图像信息,并传输给电脑;电脑通过比对顶部CCD(10)和底部CCD(13)传输的图像信息,将需要移动的参数反馈给传动系统(12),从而带动真空吸头(11)完成倒装,实现碲锌镉像素探测器元件(1)上的电极与基板(4)上的金属电极(6)的连接;步骤三、将连接好的碲锌镉像素探测器元件(1)与基板(4)放置于烘箱内,温度设定在40~80度范围,加热6~12小时,使得银导电胶(7)固化;步骤四、采用三维自动点胶机在碲锌镉像素探测器元件(1)的表面涂覆包封胶,并在60~80度温度下,固化4~8小时,形成碲锌镉像素探测器模块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学;陕西迪泰克新材料有限公司,未经西北工业大学;陕西迪泰克新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310488594.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的