[发明专利]一种侧引出MEVVA金属离子源无效
| 申请号： | 201310488990.3 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN104217911A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张磊 | 申请（专利权）人： | 常州博锐恒电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H05H1/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种新型金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)离子源的新结构。MEVVA离子源通过真空弧放电的方式使阴极材料变成离子，这些离子通过热扩散和低压引出到达引出电极，在引出电极高压作用下加速，得到很高的能量，形成离子束流。在MEVVA离子源工作过程中，真空弧放电固有伴随产生很多金属液滴，对离子源引出束流品质造成很坏影响，在本结构中，引出电极位于阴极侧面，可以解决MEVVA离子源液滴对污染的问题，并且离子源采用间冷式可推进阴极，提高了离子源的寿命，使其能够满足更高的工业化生产的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引出 mevva 金属 离子源 | ||
【主权项】：
一种侧引出MEVVA金属离子源，包括阴极(1)；阳极(2)；放电室(3)；高压绝缘体(4)；引出电极(5)；约束磁体(6)等几部分，其中阴极(1)阳极(2)位于放电室的内部，引出电极(5)位于阴极侧面，其特征在于：所述金属离子源引出电极位于阴极侧面，而不是与阴极弧放电表面相对。
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