[发明专利]包括磁耦合单片集成线圈的半导体器件有效
| 申请号： | 201310489659.3 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779337B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | K.比约克塔斯;F.希尔勒;A.毛德;J.韦尔斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L27/00;H01F17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,胡莉莉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括磁耦合单片集成线圈的半导体器件。一种半导体器件包括：第一线圈，其单片地集成在半导体主体的第一部分中且包括缠绕第一磁芯结构的第一绕组。第二线圈单片地集成在半导体主体的第二部分中且包括缠绕第二磁芯结构的第二绕组。所述第一和第二线圈彼此磁耦合。半导体主体中的绝缘体框架包围第一部分且排除第二部分。在不对用于连接绕组的匝的背面金属化进行图案化且不受限于薄衬底的情况下实现了第一和第二线圈之间的高介电强度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 耦合 单片 集成 线圈 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一线圈，其单片地集成在半导体主体的第一部分中且包括第一绕组；第二线圈，其单片地集成在半导体主体的第二部分中且包括第二绕组，第一线圈和第二线圈彼此磁耦合；以及被形成在所述半导体主体中的绝缘体框架，其沿着与所述半导体主体的主表面平行的横向方向包围所述第一部分，并排除所述第二部分。
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