[发明专利]应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310491233.1 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN103489502A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 朱鹏;陈卫明 申请(专利权)人: 南通天盛光伏科技有限公司
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01B13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226010 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法,由下列重量份数的各组份组成:氮气雾化铝粉65~85份、有机粘结剂15~30份、玻璃粉0.5~3份、助剂0.5~3份,所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50:1.0~2.5μm,D90:2.25~5.0μm,跨度:1.25~1.7,铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。本发明克服了现有P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减的问题,提供了可用于铝背发射极N型太阳电池的背场铝浆,可提高晶体硅的少子寿命,以及减少光致衰减现象。本发明组份配比合理、制备工艺简单、制备的铝浆与N型衬底的附着力强,烧结制备的铝背场具有高掺杂、均匀性好、耐水煮和低翘曲等优点,适于工业化生产。 
搜索关键词: 应用于 晶体 太阳能电池 背场铝浆 及其 制备 方法
【主权项】:
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆,其特征在于:由下列重量份数的各组份组成:氮气雾化铝粉65~85份、有机粘结剂15~30份、玻璃粉0.5~3份、助剂0.5~3份,所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50:1.0~2.5μm,D90:2.25~5.0μm,跨度:1.25~1.7,铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。
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