[发明专利]提高微晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率的方法在审
| 申请号： | 201310491386.6 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103618024A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 胡安红;曲铭浩;汝小宁;张津燕;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高微晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，包括：在玻璃或其它透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；在透明导电氧化物薄膜表面依次沉积单结或多结微晶硅电池；在电池表面沉积背电极形成电池芯片；所述方法还包括对所述电池芯片进行高压水蒸气热处理、层压封装和退火处理的步骤。本发明的提高微晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率的方法能够减少微晶硅缺陷及悬挂键数目，提高电池载流子的有效收集，进一步提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 微晶硅 薄膜 太阳能电池 光电 转换 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高微晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，包括：在玻璃或其它透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；在透明导电氧化物薄膜表面依次沉积单结或多结微晶硅电池；在电池表面沉积背电极形成电池芯片；所述方法还包括对所述电池芯片进行高压水蒸气热处理、层压封装和退火处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
