[发明专利]一种光刻胶填充式金属互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310491613.5 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103515353A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶填充式金属互连结构及其制造方法，所述光刻胶填充式金属互连结构利用光刻胶属于低介电常数介质且k值小于2.2而达到超低介电常数的级别的特点，可以降低制造成本和器件k值；本发明提供的光刻胶填充式金属互连结构的制造方法，采用普通氧化层代替现有技术中的常规超低介电常数介质来形成第二金属互连层，既大大降低了对通孔刻蚀、湿法刻蚀以及通孔金属填充和化学研磨等工艺的要求，又避免了由于低介电常数介质工艺带来的问题，提高金属互连结构的电气性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 填充 金属 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶填充式金属互连结构，其特征在于，包括：第一金属互连层及其上方的第二金属互连层，所述第一金属互连层包括第一光刻胶层、贯穿第一光刻胶层上下表面的第一通孔以及填充于第一通孔中的第一互连金属；所述第二金属互连层包括位于第一金属互连层上表面的隔离层，位于所述隔离层上表面的第二光刻胶层、从第二光刻胶层上表面贯穿至隔离层下表面的第二通孔以及填充于所述第二通孔中的第二互连金属，所述第二通孔中的第二互连金属下表面与第一通孔中的第一互连金属上表面直接接触。
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