[发明专利]一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法

摘要

本发明提供一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理和热回流处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和收缩，产生趋向拉伸的应力，从而能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性，提高了金属硬掩膜层下层薄膜的品质。

主权项

一种金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一定厚度的金属氮化物；先对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理，再采用热回流处理工艺对紫外光照射氮化处理后的金属氮化物进行再次处理，以形成预定义厚度的金属硬掩膜层，所述热回流工艺通入的惰性气体包括氩气或氦气；所述热回流处理的工艺参数包括：热回流温度为100℃～400℃；热回流时间为100s～500s；通入的惰性气体的流量为100sccm～1000sccm，所述惰性气体包括氦气或氩气。