[发明专利]一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法

摘要

一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2：在硅基衬底上设置栅氧化层和多晶硅栅，并在栅氧化层两侧设置源极区和漏极区；步骤S3：在硅基衬底表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；步骤S4：通过环状注入工艺，对目标区域进行离子注入。本发明通过在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°，使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小，故在进行所述环状注入工艺时，所述环状注入离子便可注入到目标区域，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。

主权项

一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底内形成间隔设置的所述浅沟槽隔离；执行步骤S2：在所述硅基衬底上依次设置栅氧化层和多晶硅栅，并在所述栅氧化层两侧设置轻掺杂源极区和轻掺杂漏极区，以形成所述控制晶体管；执行步骤S3：在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；执行步骤S4：通过所述环状注入工艺，对所述目标区域进行离子注入。