[发明专利]装置结构及其制造方法

摘要

本发明公开了装置结构及其形成方法。霍尔效应装置和场效晶体管形成为包含碳基纳米结构层，例如碳纳米管和/或石墨烯，其上形成有牺牲金属层，以在处理期间保护碳基纳米结构层。

主权项

一种装置结构的形成方法，包括：选择在上表面上具有碳基纳米结构层的绝缘基板；在所述碳基纳米结构层上形成第一金属的第一层；在所述第一金属的第一层上形成具有第一图案的第一图案化层；转移所述第一图案到所述第一金属的第一层和所述碳基纳米结构层以形成第一金属的第一图案化层和在其下方的第一图案化碳基纳米结构层；去除所述第一图案化层；在所述绝缘基板和所述第一金属的第一图案化层之上形成第二金属的第二图案化层；所述第二金属的第二图案化层具有包括彼此分隔的多个接触的第二图案，其中各个接触具有在所述第一金属的第一图案化层上的部分和在所述绝缘基板上的部分；以及去除没有被所述多个接触覆盖的所述第一金属的第一图案化层，由此所述第一图案化碳基纳米结构层具有未被所述第一金属的第一图案化层覆盖的区域。