[发明专利]一种碲基三元异质纳米线及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碲基三元异质纳米线及其制备方法，首先在模板的一端蒸发溅射一个导电层，再恒电位沉积二元合金和差分脉冲沉积In-Sb-Te三元合金，最后去除模板，得到所需的异质结构纳米线，由于采用分布电沉积的方法，制备的纳米线为三元部分和二元部分组成。本发明克服现有技术的不足，提供一种低成本、低能耗、工艺简单的，能大量生产In-Sb-Te异质纳米线的制备方法，具有合成温度低、尺寸均匀、仪器设备简单，操作简单等优点。

主权项

一种碲基三元异质纳米线，其特征在于，由In‑Sb‑Te三元纳米线和二元纳米线组成，其中所述In‑Sb‑Te三元纳米线元素组成为In1.60Sb1.61Te，三种元素沿纳米线长度方向和径向均匀分布；所述二元纳米线为In‑Sb纳米线，或者Sb‑Te纳米线，所述In‑Sb纳米线元素组成为InSb2.79，两种元素沿纳米线长度方向和径向均匀分布；所述Sb‑Te纳米线元素组成为SbTe1.82，两种元素沿纳米线长度方向和径向均匀分布。