[发明专利]一种磁隧道结、其制造方法及含磁隧道结的存储单元有效
| 申请号： | 201310492822.1 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN104576919A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张宏;王灵玲;张永兴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米环形磁隧道结，其特征在于，所述纳米环形磁隧道结至少包括：位于中间的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层材料为金属氧化物；上磁性层，设置于所述隧穿氧化层的上部；下磁性层，设置于所述隧穿氧化层的下部，其中，所述上磁性层、所述隧穿氧化层和所述下磁性层的外围形成为一柱体；椭圆柱形贯穿孔，竖向贯穿所述上磁性层、所述隧穿氧化层和所述下磁性层。本发明利用了磁隧道结的形状各向异性特征，制造出内椭圆外圆的环形磁隧道结，增加了磁隧道结的热稳定性以及加快了反磁化核形成和磁反转，并且降低了驱动电流密度和临界电流值及功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 制造 方法 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种纳米环形磁隧道结，其特征在于，所述纳米环形磁隧道结至少包括：隧穿氧化层（603），所述隧穿氧化层（603）材料为金属氧化物；上磁性层（604），设置于所述隧穿氧化层（603）的上部；下磁性层（602），设置于所述隧穿氧化层（603）的下部，其中，所述上磁性层（604）、所述隧穿氧化层（603）和所述下磁性层（602）的外围形成为柱体；椭圆柱形贯穿孔（60），竖向贯穿所述上磁性层（604）、所述隧穿氧化层（603）和所述下磁性层（602）。
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