[发明专利]一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法

摘要

本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。

主权项

一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，其特征在于：该具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器包括衬底（1）、缓冲层（2）、下限制层（3）、下波导层（4）、具有量子阱结构的有源层（5）、上波导层（6）、第二上限制层（7）、刻蚀停止层（8）、第一上限制层（9）、欧姆接触层（10）、电绝缘介质层（11）、正面电极（12）和背面电极（13）；其中衬底（1）、缓冲层（2）、下限制层（3）、下波导层（4）、具有量子阱结构的有源层（5）、上波导层（6）、第二上限制层（7）、刻蚀停止层（8）、第一上限制层（9）、欧姆接触层（10）由下到上依次相邻；腐蚀去掉欧姆接触层（10）和第一上限制层（9）的四边，在第一上限制层（9）上表面的中心位置形成包含欧姆接触层（10）和部分第一上限制层的第一脊型台；腐蚀去除掉位于脊型台两侧的前端与腔面相连的第一上限制层（9）部分区域，使第一上限制层（9）在接近前后腔面的区域分别出现大小一致的两个凹槽，下面相连的一部分刻蚀停止层（8）被暴露出来，第一上限制层（9）在接近前后腔面的区域形成第二、三脊型台，第一、二、三脊型台的水平中心线共面；电绝缘介质层（11）覆盖于第一上限制层（9）的上表面、第一脊型台侧面、以及被暴露的区域包括第一上限制层（9）侧面的部分区域与刻蚀停止层（8）上表面的部分区域，正面电极（12）覆盖于电绝缘介质层（11）和第一脊型台上表面，背面电极（13）覆盖于衬底（1）上。