[发明专利]CsZn2B3O7化合物、CsZn2B3O7非线性光学晶体及其制法和用途有效
| 申请号： | 201310493310.7 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103588218B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 罗军华;赵三根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B35/12 | 分类号： | C01B35/12;C30B9/12;C30B17/00;C30B29/22;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供CsZn2B3O7化学物、CsZn2B3O7非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；该化合物采用固相反应法制备；CsZn2B3O7晶体不含对称中心，属于正交晶系Cmc21空间群，晶胞参数为Z=12；该CsZn2B3O7非线性光学晶体可以采用助熔剂法制备其厘米级单晶；CsZn2B3O7非线性光学晶体的倍频转换效率约为KH2PO4晶体的1.5倍，其紫外吸收截止边约为218nm；CsZn2B3O7晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于切割、加工、保存和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外波段的非线性光学应用。 | ||
| 搜索关键词： | cszn2b3o7 化合物 非线性 光学 晶体 及其 制法 用途 | ||
【主权项】：
一种制备CsZn2B3O7非线性光学晶体的方法，其特征在于，采用助熔剂法生长CsZn2B3O7非线性光学晶体，所述助熔剂为Cs2O‑ZnF2‑B2O3助熔剂体系。
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