[发明专利]一种制备新型导电氧化铟锡材料及其薄膜的方法

摘要

本发明的目的是提供一种制备新型导电氧化铟锡材料及其薄膜的方法，在制备新型氧化铟锡薄膜的过程中，首创使用高透光的含钛元素的氧化铟锡薄膜，搭配中间层的银或银合金薄膜，形成三明治的多层薄膜结构设计。在适当的厚度控制下大幅降低薄膜的电阻，并提高薄膜在可见光的透光度，大幅提高了氧化铟锡薄膜在触控屏及CIGS等薄膜光电池中的应用性，满足了生产的要求。由于适合低温度(＜150℃)镀膜，所以可以应用于玻璃基材或者可挠性PET基材，扩大了应用范围。电阻值可降低至5x10-5Ωcm以下，透光性可高达90％以上。

主权项

一种制备新型导电氧化铟锡材料及其薄膜的方法，其特征在于：氧化铟锡靶材中氧化锡质量分数含量在2‑7%，余量为氧化铟，同时在氧化铟锡靶材中添加占总质量的0.1‑2%的氧化钛，然后使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合氧化锡、氧化铟、氧化钛粉末材料，研磨时间24小时，然后将浆料灌入三寸的多孔性模具中，经过干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400‑1550度的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体；成膜工艺：溅镀薄膜时采用三明治结构，首先在玻璃或可挠性PET基板上先溅镀10‑50 nm的氧化铟锡薄膜，接着溅镀5‑15nm的银或银合金薄膜，最后在溅镀10‑50 nm的氧化铟锡薄膜，形成三明治结构的薄膜，使得薄膜在<150℃状态下溅镀成膜。