[发明专利]用于组装WLCSP晶片的方法及半导体器件有效
申请号: | 201310495065.3 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103779237B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 克里斯蒂安·延斯;哈特莫特·布宁;莱奥那德思·安托尼思·伊丽沙白·范吉莫特;托尼·坎姆普里思;萨沙·默勒 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/304;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提出一种半导体器件,该半导体器件具有有源器件、正面表面和背面表面,具有总厚度的半导体器件包括具有电路的有源器件,有源器件的电路限定在正面表面上,正面表面具有第一面积。在有源器件的背面具有凹部,该凹部的部分深度是有源器件的厚度,该凹部的宽度是部分深度,该凹部在垂直边缘围绕有源器件。在有源器件的背面表面上具有某一厚度的保护层,保护材料的面积大于第一面积,并且保护材料具有间隔距离。垂直边缘具有保护层,垂直边缘的保护层填充凹部与垂直边缘齐平。保护材料的间隔距离是半导体器件的厚度与撞击半导体器件的垂直面的工具的角度(θ)的正切值的函数。 1 | ||
搜索关键词: | 源器件 半导体器件 垂直边缘 凹部 保护材料 正面表面 保护层 背面 间隔距离 正切 电路限定 填充凹部 晶片 齐平 电路 组装 垂直 | ||
【主权项】:
1.一种用于组装WLCSP晶片的方法,其特征在于,晶片具有正面表面和背面表面,在正面表面上具有电触点的多个器件裸芯片,该方法包括:将晶片安装到研磨箔上;背面研磨晶片的背面表面至某一厚度;将晶片的背面表面安装到锯切箔上;在多个器件裸芯片的锯线中,用具有第一切口的刀片锯切WLCSP晶片的正面表面,正面表面与背面表面相对,锯切至经背面研磨的晶片厚度的50%的第一深度;再沿着多个器件裸芯片的锯线,用具有第二切口的刀片锯切WLCSP晶片,第二切口比第一切口窄,并且锯切至经背面研磨的晶片厚度的90%至95%的深度,使所述晶片的垂直面形成为台阶;通过拉伸锯切箔来使留在锯线中的剩余晶片材料破裂,以使经背面研磨的晶片分开,导致垂直面上具有突出部分,突出部分提供成型材料的增强锚定;将晶片的正面表面再安装到成型箔上,并去除锯切箔;在被分开的器件裸芯片的背面表面和垂直面上,将器件裸芯片封装在成型材料中,在背面表面上具有某一厚度的成型材料,在垂直面上具有另一厚度的成型材料,去除成型箔;再将成型的WLCSP晶片的背面表面安装到锯切箔上;以及在多个器件裸芯片的锯线中,锯切成型的WLCSP晶片的正面表面,以使成型的晶片分离成单个的器件裸芯片,在每个单个的器件裸芯片上都具有保护性成型材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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