[发明专利]一种有机/GaN异质p-n结紫外光探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310495473.9 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN104576928A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;胡立峰;邓凤祥;赵宇;肖燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机/氮化镓异质p-n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p-n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方法包括：采用外延生长工艺在衬底上生长GaN层后，以金属材料在GaN层上形成第一电极，以及在GaN层上覆设有机层，而后在有机层上设置第二电极。本发明通过采用宽带隙半导体材料和有机半导体材料协同构建紫外光探测器，充分利用了无机半导体材料和有机材料的优点，同时，器件制备工艺简单，易于实现，可以在有效地节约成本的情况下，大幅度提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 gan 异质 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机/GaN异质p‑n结紫外光探测器，其特征在于，它包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p‑n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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