[发明专利]晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法有效
申请号: | 201310495904.1 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103545015A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 刘小丽;郭冉;李德林 | 申请(专利权)人: | 深圳首创光伏有限公司 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料由腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体组成,所述腐蚀刻蚀剂为一种或者多种晶体化合物,其熔点温度为250℃~760℃。在电极导电浆料烧结的过程中,当温度达到所述腐蚀刻蚀剂熔点时,该腐蚀刻蚀剂直接由固体变成液体,容易流动,易于腐蚀并穿透晶体硅太阳能电池正面的减反射绝缘层,使导电金属粉和晶体硅太阳能电池形成良好的欧姆接触,并且能有效地润湿导电金属粉,增强金属粉之间的接触,形成导电性能优良的晶硅太阳能电池正面电极。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 正面 电极 导电 浆料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料,按照总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:腐蚀刻蚀剂0.5~10份,其中,所述腐蚀刻蚀剂为铅、碲和/或添加元素的氧化物形成的晶体化合物,熔点温度为250℃~760℃;金属粉70~93份;有机载体5~25份。
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