[发明专利]一种基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310495906.0 申请日: 2013-10-21
公开(公告)号: CN103556045A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 蒋成保;吴伟;张天丽;刘敬华;王敬民 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C22C38/00 分类号: C22C38/00;B22D11/06;H01L41/20
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 李有浩
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料及其制备方法,该磁致伸缩材料成分为(Fe100-XGaX)Y(RFe2)Z,其中10≤X≤40,Y与Z调节赝二元系中补偿成分的比例Y:Z=1~20,RFe2为TbFe2、SmFe2、DyFe2、HoFe2、ErFe2、TmFe2中的一种或者几种,X、Y、Z为摩尔百分比含量。本发明基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料通过在非稀土FeGa基磁致伸缩合金成分中,微量添加具有大磁致应变性能的稀土RFe2成分,同时对FeGa成分进行磁晶各向异性补偿,从而获得具有大磁致应变、低驱动场、高力学性能、低成本等优势性能的新型磁致伸缩材料。
搜索关键词: 一种 基于 fega rfe sub 各向异性 补偿 原理 设计 新型 伸缩 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于FeGa‑RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料,其特征在于:该磁致伸缩材料成分为(Fe100-XGaX)Y(RFe2)Z,其中,X、Y、Z为摩尔百分比含量,10≤X≤40,Y与Z调节赝二元系中补偿成分的比例Y:Z=1~20,RFe2为TbFe2、SmFe2、DyFe2、HoFe2、ErFe2、TmFe2中的一种或者几种。
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