[发明专利]用于监测非晶硅薄膜的结晶的方法和系统

摘要

公开了用于监测非晶硅（a‑Si）薄膜的结晶的方法和系统以及通过利用所述系统和方法来制造薄膜晶体管（TFT）的方法。监测a‑Si薄膜的结晶的方法包括：将来自光源的光照射到待监测a‑Si薄膜上，以使待监测a‑Si薄膜退火；使待监测a‑Si薄膜退火并同时地在设定的时间间隔测量由待监测a‑Si薄膜散射的光的拉曼散射光谱；以及基于拉曼散射光谱来计算待监测a‑Si薄膜的结晶特征值。

主权项

1.一种监测非晶硅薄膜的结晶的方法，所述方法包括：将来自光源的光照射到待监测非晶硅薄膜上，以使待监测非晶硅薄膜退火；使待监测非晶硅薄膜退火并同时在设定的时间间隔测量由待监测非晶硅薄膜散射的光的拉曼散射光谱；基于拉曼散射光谱计算待监测非晶硅薄膜的结晶特征值，其中，计算待监测非晶硅薄膜的结晶特征值的步骤包括：在每个时间间隔计算来自拉曼散射光谱的非晶硅峰和多晶硅峰之间的峰值比；在每个时间间隔绘制峰值比以形成峰值比图案曲线，形成的峰值比图案曲线呈指数衰减；以及通过利用峰值比图案曲线来计算指数衰减公式的衰减参数值作为结晶特征值，其中，衰减参数值对应于在峰值比图案曲线上的饱和状态下的非晶硅峰和多晶硅峰之间的峰值比。