[发明专利]监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法有效
| 申请号： | 201310496404.X | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103545230A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法，包括如下步骤：在CMOS晶圆的第一区域建立至少一测试单元，测试单元包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区形成多个NMOS阻断缺陷；以电子束扫描仪扫描测试单元以检测NMOS阻断缺陷，并记录其检出率；更换下一枚CMOS晶圆，重复进行以上步骤。该监控方法更加准确可靠，利于在半导体行业领域内推广。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 电子束 扫描仪 缺陷 检出 方法 | ||
【主权项】：
一种监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法，包括如下步骤：a)、在CMOS晶圆的第一区域建立至少一测试单元，所述测试单元包括NMOS区和PMOS区；b)、在所述NMOS区形成多个NMOS阻断缺陷；c)、以所述电子束扫描仪扫描所述测试单元以检测所述NMOS阻断缺陷，并记录其检出率；d)、更换下一枚CMOS晶圆，回到所述步骤a)重复进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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