[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

摘要

本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置（100）具备用于从离子源（102）向注入处理室（106）输送离子的射束线装置（104）。注入处理室（106）具备对射束照射区域（105）机械式地扫描被处理物（W）的物体保持部（107）。射束线装置（104）能够在适合输送用于向被处理物（W）进行高剂量注入的低能量/高电流射束的第1注入设定结构（S1）或适合输送用于向被处理物（W）进行低剂量注入的高能量/低电流射束的第2注入设定结构（S2）下作动。在第1注入设定结构（S1）和第2注入设定结构（S2）中，射束线中成为基准的射束中心轨道自离子源（102）至注入处理室（106）相同。

主权项

一种离子注入装置，其特征在于，具备：离子源，生成离子并作为离子束引出；注入处理室，用于向被处理物注入所述离子；射束线装置，提供用于从所述离子源向所述注入处理室输送所述离子束的射束线；及控制部，具备包括第1注入设定结构及第2注入设定结构的多个注入设定结构，并根据注入条件选择多个注入设定结构中的任一个结构，在所选择的注入设定结构下控制离子注入装置，其中，第1注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束，第2注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束，所述射束线装置具备扫描所述离子束的离子束扫描装置，以供给在所述注入处理室具有超过所述被处理物的宽度的射束照射区域的所述离子束，所述注入处理室具备机械式扫描装置，该机械式扫描装置对所述射束照射区域机械式地扫描所述被处理物，所述射束线装置构成为，在所述第1注入设定结构及所述第2注入设定结构中，所述射束线中的成为基准的射束中心轨道从所述离子源到所述注入处理室相同，所述第1注入设定结构包括决定以下控制的组合的设定，包括在与所述射束中心轨道垂直的射束扫描方向上扫描所述离子束的所述射束扫描装置的控制和在与所述射束中心轨道以及所述射束扫描方向垂直的机械扫描方向上机械式地扫描所述被处理物的所述机械式扫描装置的控制，所述第2注入设定结构包括决定以下控制的组合的设定，包括在所述射束扫描方向上扫描所述离子束的所述射束扫描装置的控制和在所述机械扫描方向上机械式地扫描所述被处理物的所述机械式扫描装置的控制。