[发明专利]一种制造半导体芯片的方法在审
| 申请号： | 201310498819.0 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103606602A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体芯片的方法，依次包括如下步骤：（1）用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁；（2）将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺（DAE）腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离；（3）在蓝宝石衬底分离后，采用光刻工艺在发光二极管外延层上图形化；（4）采用电镀工艺在发光二极管外延层上已图形化的区域电镀铜，从而形成铜金属衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体芯片的方法，依次包括如下步骤：（1）用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁；（2）将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺（DAE）腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离；（3）在蓝宝石衬底分离后，采用光刻工艺在发光二极管外延层上图形化；（4）采用电镀工艺在发光二极管外延层上已图形化的区域电镀铜，从而形成铜金属衬底。
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