[发明专利]一种硅酸盐低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310499020.3 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103613369A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 窦刚;郭梅 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 王连君 |
| 地址： | 266590 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法，其中，陶瓷基板材料主晶相为Zn2SiO4，次晶相为CaTiO3，其介电常数εr=6.1～8.2，品质因数Q×f=9600～16000GHz，谐振频率温度系数τf=-52～28ppm/℃。本发明的制备方法包括：将Zn2SiO4、CaTiO3分别研磨成粉；将CaTiO3、Zn2SiO4与Bi2O3-CuO-B2O3或Li2CO3-Bi2O3-CuO-B2O3按比例混合，加入无水乙醇或去离子水进行球磨、烘干、造粒后，入炉经900～975℃烧结。本发明的制备方法，其产物纯度高、质量好、工艺简单、烧结温度低且能与高电导率的Ag共烧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸盐 低温 陶瓷 板材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温共烧陶瓷基板材料，其特征在于，主晶相为Zn2SiO4，次晶相为CaTiO3，介电常数εr=6.1～8.2，品质因数Q×f=9600～16000GHz，谐振频率温度系数τf=‑52～28ppm/℃。
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