[发明专利]极紫外光(EUV)光掩模及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310499322.0 申请日: 2013-10-22
公开(公告)号: CN104049455B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 黄道旻;石志聪;陈嘉仁;李信昌;严涛南 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F1/24 分类号: G03F1/24;G03F1/76;B82Y10/00;B82Y40/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了EUV光掩模和用于形成EUV光掩模的方法的实施例。该方法包括提供衬底、反射层、覆盖层、硬掩模层,以及在其中形成开口。然后,在开口中和硬掩模层的顶面上方填充吸收层。提供平坦化工艺以去除位于硬掩模层的顶面上方的吸收层且在开口中形成吸收体,其中,吸收体顶部的宽度大于其底部的宽度。
搜索关键词: 紫外光 euv 光掩模 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造极紫外光光掩模的方法,包括:提供依次包括衬底、反射层和覆盖层的掩模;形成具有位于所述覆盖层中的第一部分和位于所述反射层的至少一部分内的第二部分的开口,所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度;在所述开口中和所述覆盖层的顶面上方形成吸收层;以及去除所述吸收层的至少一部分而保留所述吸收层的另一部分,以形成吸收体。
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