[发明专利]无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310499924.6 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103606563A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘立滨;蒋春生;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种无结型隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬垫层，衬垫层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于衬垫层之上，包括位于中间的沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区，其中，沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同；源极，源极包覆源区的上方、侧方及下方，源极包覆沟道区的下方并且与沟道区形成肖特基接触；漏极，漏极包覆漏区的上方及侧方；以及栅堆叠结构，栅堆叠结构位于沟道区之上。该无结型隧穿场效应晶体管具有的结构简单、隧穿电流大、能有效抑制短沟道效应等优点。本发明还提出一种无结型隧穿场效应晶体管的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 无结型隧穿 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种无结型隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；衬垫层，所述衬垫层位于所述衬底之上；沟道层，所述沟道层位于所述衬垫层之上，包括位于中间的沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同；源极，所述源极包覆所述源区的上方、侧方及下方，所述源极包覆所述沟道区的下方并且与所述沟道区形成肖特基接触；漏极，所述漏极包覆所述漏区的上方及侧方；以及栅堆叠结构，所述栅堆叠结构位于所述沟道区之上。
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