[发明专利]一种p型外延衬底激光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201310500450.2 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103594922A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/34;H01S5/347 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型外延衬底激光二极管的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长p-GaN外延衬底；（2）在p-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将p-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留p-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在p-GaN外延衬底的外围溅射形成p电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 衬底 激光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种p型外延衬底激光二极管的制造方法，其特征在于所述方法依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长p‑GaN外延衬底；（2）在p‑GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将p‑GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留p‑GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在p‑GaN外延衬底的外围溅射形成p电极。
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