[发明专利]外延化学气相淀积设备的清洗方法在审
| 申请号： | 201310500704.0 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103484933A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;汪钰成;宋庆文;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 李楠;戴燕 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延化学气相淀积设备的清洗方法，所述方法包括：步骤1，向碳化硅SiC外延化学气相淀积CVD设备的反应腔内通入清洁气体；步骤2，将反应室的压力控制到10-200mbar，将所述反应室的温度上升至1500-1600℃，将清洁气体通入反应室。因此，本发明的外延化学气相淀积设备的清洗方法，可以实现自动，快速的清洁CVD反应腔内的残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 化学 气相淀积 设备 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种外延化学气相淀积设备的清洗方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，向碳化硅SiC外延化学气相淀积CVD设备的反应腔内通入清洁气体；步骤2，将反应室的压力控制到10‑200mbar，将所述反应室的温度上升至1500‑1600℃，将清洁气体通入反应室。
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