[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201310503421.1 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779468A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王宏琳;横山英祐 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供抑制了半导体层的裂纹的半导体发光元件。半导体发光元件包括含有发光层的层叠半导体层，发光层通过通电而发光，层叠半导体层具有：下侧半导体底面（214）；从下侧半导体底面（214）的周缘向层叠半导体层的上方且外方立起的半导体侧面；从半导体侧面上方的周缘向层叠半导体层的内方延伸从而朝向上方的下侧半导体上面（213），下侧半导体上面（213）的周缘具有呈直线状延伸的第1直线部（231）及第2直线部（232）、和将第1直线部（231）及第2直线部（232）连接的多个连接部（233），在从与下侧半导体上面（213）垂直的方向观察的情况下，各连接部（233）位于比由连接部（233）连接的第1直线部（231）及第2直线部（232）的延长线彼此的交点靠内侧的位置。 | ||
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【主权项】：
一种半导体发光元件，包括含有发光层的半导体层，所述发光层通过通电而发光，其特征在于，所述半导体层具有：半导体底面；从该半导体底面的第1周缘向该半导体层的上方且外方立起的半导体侧面；和从该半导体侧面的上方的第2周缘向该半导体层的内方延伸从而朝向上方的半导体上面，所述第2周缘具有呈直线状延伸的多个直线部、和将相邻的该直线部彼此连接的多个连接部，在从与所述半导体上面垂直的方向观察的情况下，各连接部位于比由该连接部连接的2个直线部的延长线彼此的交点靠内侧的位置。
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