[发明专利]一种具有环状集电极区域的晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 201310504013.8 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103594359A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有环状集电极区域的晶体管的制造方法，包括如下步骤：准备第一导电类型的衬底；在衬底上形成第二导电类型的外延层；在外延层上形成绝缘层，在至少形成发射极区域或者集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部；洗净所述外延层表面之后，将含有扩散于所述外延层的钨的水溶液涂敷在所述半导体层表面，使从所述开口部露出的所述外延层表面为亲水性；其中集电极区域是形成在发射极区域周围的圆环状；将含有形成所述发射极区域或者集电极区域的杂质的液体源极涂敷在所述外延层上，使所述钨及所述杂质热扩散到所述外延层中。该方法能够提高晶体管的电流放大率，同时能够降低污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 环状 集电极 区域 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有环状集电极区域的晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：准备第一导电类型衬底；在衬底上形成第二导电类型的外延层；在外延层上形成绝缘层，在至少形成发射极区域或者集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部；其中，集电极区域是形成在发射极区域周围的圆环状；洗净所述外延层表面之后，将含有扩散于所述外延层的钨的水溶液涂敷在所述半导体层表面，使从所述开口部露出的所述外延层表面为亲水性；将含有形成所述发射极区域或者集电极区域的杂质的液体源极涂敷在所述外延层上，使所述钨及所述杂质热扩散到所述外延层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于溧阳市东大技术转移中心有限公司，未经溧阳市东大技术转移中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310504013.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能造云造雪机
- 下一篇：可控制多晶硅生长方向的多晶硅制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
